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產(chǎn)品資料

GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀

如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 菲柯特
產(chǎn)品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀 暫態(tài)對地電壓(TEV)測量和超聲波(US)測量 信號多周期觀察/放電進行頻率識別 內(nèi)同步,外同步,光同步 GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀標準:局部放電GB/T 7354 、 DL/T 417


GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀  的詳細介紹
產(chǎn)品特點
     局部放電巡檢儀采用暫態(tài)對地電壓(TEV)測量和超聲波(US)測量兩種新興技術對開關柜進行故障檢測。 設備采用便攜式,操作簡單,TEV傳感器貼在箱壁,US傳感器沿著開關柜上的縫隙掃描檢測,對高壓開關及開關柜無任何損害,所有的檢測對高壓開關及開關柜設備的運行不產(chǎn)生任何影響。該產(chǎn)品可以對測量進行信號多周期觀察,對放電進行頻率識別,并通過多種模式進行分析,能夠清楚地判斷出開關柜是否出現(xiàn)故障。其測量技術在國內(nèi)外已達優(yōu)越水平。
暫態(tài)對地電壓(TEV)測量原理:
     當配電設備發(fā)生局部放電現(xiàn)象時,帶電離子會快速地由帶電體向接地的非帶電體快速遷移,如配電設備的柜體,并在非帶電體上產(chǎn)生電流行波,且以光速向各個方向快速傳播。受集膚效應的影響,電流行波往往僅集中在柜體的內(nèi)表面,而不會直接穿透金屬柜體。但是當電流行波遇到不連續(xù)的金屬斷開或絕緣連接處時,電流行波會有金屬柜體內(nèi)表面轉移到外表面,并以電磁波形式向自由空間傳播,且在金屬外表面產(chǎn)生暫態(tài)地電壓。而該電壓可用專用的TEV傳感器布置在開關柜外面進行測量。TEV傳感器類似傳統(tǒng)的RF耦合電容器,其殼體可做絕緣和保護雙重功能,傳感器內(nèi)部可感應出高頻脈沖電流信號。
超聲波(US)測量原理:
     局部放電發(fā)生前,放點點周圍的電場力絕緣介質的機械應力和粒子力處于相對平衡狀態(tài)。局部放電發(fā)生時電荷的快速釋放或遷移使電場發(fā)生改變,打破了平衡狀態(tài),引起周圍粒子發(fā)生震蕩性機械運動,從而產(chǎn)生聲音或振動信號。超聲波法通過在設備腔體外壁上安裝超聲波傳感器來測量局部放電信號。該方法特點是傳感器與地理設備的電氣回路無任何聯(lián)系,不受電器方面的干擾,但在現(xiàn)場使用時容易受周圍環(huán)境噪聲或設備機械振動的影響。由于超聲信號在電力設備常用絕緣材料中的衰減較大,超聲波檢測法的檢測范圍有限,但具有定位準確度高的優(yōu)點。局部放電產(chǎn)生的聲波的頻譜很寬,可以從幾十Hz 到幾MHz,其中頻率低于20kHz 的信號能夠被人耳聽到,而高于這一頻率的超聲波信號必須用超聲波傳感器才能接收到。通過測量超聲波信號的聲壓大小,推測放電的強弱。
技術參數(shù)
主機參數(shù)  
可檢測通道數(shù) 2個通道,1個TEV通道,1個US通道
采樣精度 12bit
同步方式 內(nèi)同步,外同步,光同步
TEV參數(shù)  
檢測帶寬 3M-80MHz  
測量范圍 0~60dB
測量誤差 ±1dB
分辨率 1dB
每周期*大脈沖數(shù) 720個
*小脈沖頻率 10Hz
輸出接口 標準SMA
                                                 US參數(shù)
中心頻率 40kHz  
分辨率 0.1uV
精度 ±0.1uV
測量范圍 0.5uV~1mV
輸出接口 標準SMA
                                                       硬件
顯示屏 4.3” TFT真彩色液晶顯示屏
分辨率 480×272
操作 薄膜按鍵
存儲 SD卡標配16G卡,*大支持32G
接口 3.5mm立體聲耳機插孔
DC-005低壓直流充電器輸入口
充電LED指示燈
RS232調(diào)試口
USBD同步口
USB2.0
網(wǎng)口
SD卡插槽
電源  
內(nèi)部電源 電池供電(16.8V鋰電池)
正常工作時間 約7小時,充滿時間約3小時
                                           尺寸
長×寬×高 235mm×133mm×48mm
重量 0.85kg
環(huán)境  
使用環(huán)境溫度 -20℃至50℃
存儲環(huán)境溫度 -40℃~70℃
濕度 10%-90%(非冷凝)
海拔高度 ≤3000m
 
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